一、影響蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜性（xìng）能（néng）的（de）因素

        蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗層的組成、蒸鍍（dù）層的厚度等，都可能對蒸鍍型（xíng）氧化矽阻隔性包裝薄（báo）膜的性能產生巨大的影響，主要可以列舉如下。www.nbcredit.net南京（jīng）免费午夜福利视频（yě）精工阻隔膜生產線


1.基材的選擇性（xìng）
        如前（qián）所述，蒸鍍（dù）型氧（yǎng）化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗層，因此在蒸煮處（chù）理過（guò）程中，不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜通常與其他薄膜複合，製造蒸煮薄膜，選擇蒸煮基材（cái）應當注意如下幾個問題。

（1)塑（sù）料薄膜的類型

        蒸鍍的（de）氧化矽膜與塑料薄（báo）膜之間的黏合牢度（dù）與（yǔ）塑料基膜種類之間有（yǒu）較大的關（guān）係，PET、PVC等極（jí）性較大的薄膜與氧化矽（guī）間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間的（de）黏（nián）合力（lì）則比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

        蒸（zhēng）鍍型（xíng）氧化矽阻隔（gé）性包（bāo）裝薄膜的阻隔（gé）性，除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更大程度上決定於氧化矽鍍（dù）層的均勻性。裂縫、針孔等缺（quē）欠，會導致蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性（xìng）明顯下降，缺陷的形成（chéng）除了蒸鍍層本身的化學成分與結構之外，所用（yòng）基膜的表麵平滑性，也是一（yī）個重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷（xiàn），但適（shì）量的（de）粗糙度會使蒸鍍（dù）層（céng）和基（jī）膜的表麵之間形成物理（lǐ）錨接，改善（shàn）層間黏合力（lì）。

（3)塑料薄膜的表麵預處理狀況

      為了得到優質（zhì）的蒸鍍薄膜（mó），對基膜進行適度（dù）的表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化層（通過交（jiāo）聯、臭氧化（huà）、羧（suō）基化、硝基化等多種複雜的化學反應，將氧、氮等原子及原（yuán）子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大（dà）基（jī）膜與（yǔ）蒸鍍塗層（céng）之間的結合力。在預處理（lǐ）設備一定的情況下，如果預處理時間不足，表麵改性不充分，將導致基膜（mó）與（yǔ）塗層（céng）之間的結合牢度下降；預處理時（shí）間過長，可能引起（qǐ）基膜較深層次的界麵弱化，產生基膜自身的（de）弱界麵層，也（yě）會引起基材表麵和蒸鍍層間（jiān）的（de）結（jié）合力下降。
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2.蒸鍍工藝條件對蒸鍍型氧化矽（guī）阻隔性包裝薄膜性能的影響
       

  不論采用物（wù）理蒸鍍或者化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性包裝薄膜的性能（néng）產生顯（xiǎn）著的（de）影響，因此應（yīng）當（dāng）盡可能采用有（yǒu）利（lì）於提高蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時，
      

  真空度的高（gāo）低、基材薄膜的溫度、電子（zǐ）槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中（zhōng）氧氣導入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定（dìng）於蒸鍍時間與蒸發功（gōng）率）等均（jun1）會影響最終產（chǎn）品的性能。

①蒸鍍時真空度越高，越有利於SiO2的蒸（zhēng）發，製得的蒸鍍膜的質（zhì）量越（yuè）高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗層並有利於提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結（jié）度（dù），因此適（shì）當提高塑料基膜的溫度，有（yǒu）利於提高蒸鍍薄膜的質量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜（yí）使用塊狀（zhuàng）的SiO2,因為粉狀的SiO2在受（shòu）電子槍轟擊時，易產生粉末濺射現象，影響蒸（zhēng）鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有利（lì）於電阻加熱蒸發。

④氧氣的導（dǎo）入速度影響蒸鍍層的（de）組（zǔ）成，即SiOx中Si原子數（shù）與0原子數的比（bǐ）值，氧的量越大，即x的值越大，蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但（dàn）阻隔性有降低的趨勢。當x等於2時，得到阻隔性能差的、無（wú）色透明的蒸鍍層，通（tōng）常x控製在1.5~1.8之間以（yǐ）獲得兼具高阻隔性及良好（hǎo）透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。www.nbcredit.net南京免费午夜福利视频精工阻隔膜（mó）生產（chǎn）線

        蒸鍍層的厚度增加，蒸鍍膜的阻隔性（xìng）增加，但當蒸鍍（dù）層的厚度超過50nm時，蒸鍍層（céng）的厚度再進一步增大，蒸鍍膜的阻隔性基本保持不變，因此不能指望依靠降（jiàng）低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的（de）離子化能（néng）量以及蒸鍍材料離子化所需要（yào）的能（néng）量相匹配，高頻電磁波一般選用13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左（zuǒ）右即可獲得優良（liáng）的蒸鍍效果，而物理蒸鍍時（shí）則需要更高的真空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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