一、影響蒸鍍（dù）型氧化（huà）矽阻隔性包裝薄膜性能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍（dù）塗層（céng）的組成、蒸鍍層的厚度等，都可能（néng）對蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝薄膜（mó）的性能產生（shēng）巨大的影響。

1.基材的選（xuǎn）擇性（xìng）
如前所述，蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔性包裝薄膜的阻（zǔ）隔性依靠於SiOx塗層，因（yīn）此在蒸煮處（chù）理過程中，不能破壞該塗層。蒸（zhēng）鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜通（tōng）常與其他薄膜複（fù）合，製造蒸（zhēng）煮薄膜，選擇蒸煮基材（cái）應當注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧（yǎng）化矽膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與塑（sù）料基膜種類之間有較（jiào）大的關（guān）係（xì），PET、PVC等極性較大的薄膜與氧化矽間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間的黏（nián）合力（lì）則（zé）比較差。

（2)塑料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包（bāo）裝薄（báo）膜的阻隔性（xìng），除了受蒸鍍層的厚度影響之外，更（gèng）大（dà）程度上決定於（yú）氧化矽鍍層的均勻性。裂（liè）縫、針孔（kǒng）等（děng）缺欠，會導致蒸（zhēng）鍍型氧（yǎng）化矽阻隔性包裝薄膜的阻隔性明顯（xiǎn）下（xià）降（jiàng），缺陷的形（xíng）成除了蒸鍍層本身的化學成（chéng）分與（yǔ）結構之外，所用基（jī）膜的表麵平（píng）滑性，也是一個（gè）重要因素（sù），粗糙度（dù）越大，越容易造成蒸（zhēng）鍍缺陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和基（jī）膜的表麵（miàn）之間（jiān）形（xíng）成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料（liào）薄膜的表麵預處理狀況

為了得到優質的蒸鍍薄（báo）膜（mó），對基膜進行（háng）適度的表麵電暈處理是十分必（bì）要的（de）。塑料薄膜（mó）經過表麵電暈處理，可在其表麵形成氧化（huà）層（通過交聯、臭氧化、羧基化、硝基化等多種複雜（zá）的化學反應，將氧、氮等原子及原（yuán）子團引入到塑料薄膜的表麵上（shàng）），增大基（jī）膜與蒸鍍塗層之間的（de）結合力。在預處理設（shè）備一定的情況下，如果預處理時間不（bú）足，表麵改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合牢（láo）度下（xià）降；預處（chù）理時間（jiān）過長，可能引（yǐn）起基膜（mó）較深層（céng）次的界麵弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也會（huì）引起基材表麵和（hé）蒸鍍層（céng）間的結合力下（xià）降。

2.蒸鍍工（gōng）藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔性（xìng）包裝（zhuāng）薄膜性能的影響

不論采用物理蒸鍍或（huò）者（zhě）化學蒸鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生顯著的影（yǐng）響（xiǎng），因此應當盡可能采用（yòng）有利（lì）於提高（gāo）蒸鍍薄膜阻隔性的工藝條件（jiàn）。

（1)采用物（wù）理蒸鍍（dù）時，

真空度的高低、基材薄膜（mó）的溫度、電（diàn）子（zǐ）槍的功率、蒸鍍原料SiO2的形狀、真空室中氧氣導（dǎo）入的速度、蒸鍍塗層的厚度（決定於蒸鍍時間與蒸（zhēng）發功率）等（děng）均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真（zhēn）空度越高，越有利於SiO2的蒸（zhēng）發，製（zhì）得的蒸鍍膜的質量（liàng）越高（gāo）。

②蒸鍍（dù）時塑料基膜的溫度高（gāo），有（yǒu）利於蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗（tú）層並有（yǒu）利於提高蒸鍍層與塑料基膜間的黏結度，因此適當提高塑料基膜的溫度，有利於提高蒸鍍薄膜（mó）的質量。

③采用電子槍轟擊、蒸發SiO2時，宜使用塊狀（zhuàng）的SiO2,因為（wéi）粉狀的SiO2在（zài）受電子槍轟擊時，易產生粉末（mò）濺射現象，影響（xiǎng）蒸鍍膜的質量，而粉（fěn）狀SiO2則有利於電（diàn）阻加熱蒸發。

④氧氣的導入（rù）速度影響蒸鍍層的組成，即SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越大，即x的（de）值越大，蒸鍍（dù）層向透明性提高的方向（xiàng）移（yí）動，但阻隔性有降低（dī）的趨勢。當x等於2時，得到阻隔性能差（chà）的、無色透明的蒸鍍層，通常x控製（zhì）在1.5~1.8之間以獲得兼具（jù）高阻隔性及良（liáng）好透明性的蒸鍍氧化矽薄膜。

蒸鍍層的厚度（dù）增加，蒸鍍膜的阻隔（gé）性增加，但當蒸鍍層的厚度超過50nm時，蒸鍍層的（de）厚度再進一步增大，蒸鍍膜（mó）的阻隔性基本保持不變，因此不能指望依靠降低生產線的線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的（de）辦法，無限度地提高蒸鍍薄膜的阻隔性。

（2)化學蒸鍍中，高頻電磁波或（huò）微波頻率的選擇，應與離子化氣氛中的離子（zǐ）化能（néng）量以及蒸鍍材料離子化所需要（yào）的能量（liàng）相匹配，高頻電磁（cí）波（bō）一般選（xuǎn）用13.56MHz,微波一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優良的蒸鍍效果，而物理蒸鍍（dù）時則需要（yào）更高的真（zhēn）空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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