一、影響蒸鍍型氧化矽阻（zǔ）隔性（xìng）包裝薄膜性能的因素

蒸鍍基膜、蒸鍍方法、蒸鍍條件以及蒸鍍塗（tú）層的（de）組成（chéng）、蒸鍍層的（de）厚度（dù）等，都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包（bāo）裝（zhuāng）薄膜的性能產生巨大的影響，主要可以列舉如（rú）下。www.nbcredit.net南京免费午夜福利视频精工阻隔膜生產線
1.基材（cái）的選擇性
如前（qián）所述，蒸鍍型氧化（huà）矽阻隔（gé）性包裝薄膜的阻隔性依靠於SiOx塗（tú）層，因此在蒸煮處理過程中，不能破壞該塗層。蒸鍍型氧化矽（guī）阻（zǔ）隔性包裝薄膜通常與其他（tā）薄膜複合，製造蒸煮薄（báo）膜，選擇蒸煮基材應當（dāng）注意如下幾個問題。

（1)塑料薄膜的類型

蒸鍍的氧化矽膜與塑料薄膜之間的黏合牢度與塑料（liào）基膜種（zhǒng）類之間有較大（dà）的關係，PET、PVC等極性較大的薄（báo）膜與（yǔ）氧化矽（guī）間的黏合性較佳，而非極性的薄膜，與氧化矽間的黏合力則比較差。

（2)塑（sù）料薄膜表麵狀態

蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜（mó）的阻隔性，除了受蒸鍍層的厚度影響（xiǎng）之外（wài），更大程度上決定於氧化矽鍍層的均勻性。裂縫、針孔（kǒng）等缺欠，會導致蒸鍍型（xíng）氧化矽阻隔性包（bāo）裝薄（báo）膜（mó）的阻隔性明顯下降，缺陷的形成除了（le）蒸鍍層本身的化學成分與結構之（zhī）外，所用基膜的表麵平滑性，也是一（yī）個（gè）重要因素，粗糙度越大，越容易造成蒸鍍缺陷，但適量的粗糙度會使蒸鍍層和基膜的表麵之間形（xíng）成物理錨接，改善層間黏合力。

（3)塑料薄膜的（de）表麵預處理狀況（kuàng）

為了得到優質的蒸鍍薄膜，對基膜進行適度的（de）表麵電暈處理是十分必要的。塑料薄膜經過表麵電暈處（chù）理，可在其表麵形成氧化層（通過交（jiāo）聯、臭氧化、羧基化、硝（xiāo）基化（huà）等多種複（fù）雜的化（huà）學反應，將氧、氮等原子（zǐ）及原（yuán）子團引入到塑料薄膜的表麵上），增大基膜與蒸鍍塗層之間的結合力（lì）。在預處理設備一定的情況下，如果預處理時間不足，表（biǎo）麵（miàn）改性不充分，將導致基膜與塗層之間的結合牢度下降；預處理時間（jiān）過長，可能引起基膜較深層次（cì）的（de）界（jiè）麵弱化，產生基膜自身的弱界麵層，也會引起基（jī）材表（biǎo）麵和蒸鍍層間的結合（hé）力下降。
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2.蒸鍍（dù）工藝條件對蒸鍍型氧化矽阻隔（gé）性包裝薄膜性能的影響

不論采用（yòng）物理（lǐ）蒸（zhēng）鍍或者化學蒸（zhēng）鍍，蒸鍍工藝條件都可能對蒸鍍型氧化矽阻隔性包裝薄膜的性能產生顯著的影響，因此應當盡（jìn）可能采（cǎi）用有利於提高蒸鍍薄膜（mó）阻隔性的工藝條件。

（1)采用物理蒸鍍時，

真空（kōng）度的高低、基材薄膜的溫度、電子槍的功率、蒸（zhēng）鍍原料SiO2的形狀（zhuàng）、真空室中氧氣導（dǎo）入的速度、蒸鍍塗（tú）層的厚度（dù）（決定於蒸鍍（dù）時間與蒸發功率）等均會影響最終產品的性能。

①蒸鍍時真空（kōng）度越高，越有利於SiO2的蒸發，製得（dé）的蒸（zhēng）鍍膜的質量越高。

②蒸鍍時塑料基膜的溫度高，有利於（yú）蒸發的SiO,在塑料基膜上沉積、形成致密的塗層並有（yǒu）利於提高蒸（zhēng）鍍層與塑料基膜間的黏結度，因此適（shì）當提（tí）高塑料基膜的溫度，有利於（yú）提高蒸鍍薄膜的質量。

③采用電子槍轟擊（jī）、蒸發SiO2時，宜使用塊狀的SiO2,因（yīn）為（wéi）粉狀（zhuàng）的SiO2在受電子槍轟擊時，易（yì）產生粉末濺射現象，影（yǐng）響蒸鍍膜的質量，而粉狀SiO2則有（yǒu）利於（yú）電阻加熱蒸發。

④氧氣的（de）導入速度影（yǐng）響蒸鍍層的組成，即（jí）SiOx中Si原子數與0原子數的比值，氧的量越大，即x的（de）值越大，蒸鍍層向透明性提高的方向移動，但阻隔性有降低的趨勢（shì）。當x等於2時，得到（dào）阻隔（gé）性能差的、無色透明的蒸鍍層，通常x控製在1.5~1.8之間以獲得（dé）兼具高阻隔性及良（liáng）好透明（míng）性的蒸（zhēng）鍍氧化矽（guī）薄膜。www.nbcredit.net南京免费午夜福利视频精工阻隔膜生產線

蒸鍍層的厚度增加（jiā），蒸（zhēng）鍍膜的阻隔性增加，但當蒸鍍層的厚度超（chāo）過50nm時，蒸鍍層的厚度再進一步增大，蒸鍍（dù）膜的阻隔性基（jī）本保持不變（biàn），因此不能指望依靠降低生產線的（de）線速度（增加蒸鍍時間）、增加蒸鍍層的厚度的辦法，無限度地提高蒸鍍（dù）薄膜的阻（zǔ）隔性。

（2)化（huà）學蒸鍍中，高頻電磁波（bō）或微波頻率的選擇，應與離子（zǐ）化氣氛中的離子化能量以及蒸鍍材料離子化所需（xū）要的能量（liàng）相匹配（pèi），高頻電磁波一般選用（yòng）13.56MHz,微波（bō）一般選用2.45MHz,真空度在10-2Pa左右即可獲得優良的蒸鍍效果，而（ér）物理蒸鍍（dù）時則需要更高的真（zhēn）空度，即10-2~10-3Pa或者更高的真空度。

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